Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 92 A 81 W, 8-Pin TPH3R704PL SOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-2375
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH3R704PL
- Marke:
- Toshiba
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| 5 - 45 | 1,248 € | 6,24 € |
| 50 - 95 | 1,128 € | 5,64 € |
| 100 - 995 | 1,036 € | 5,18 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2375
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH3R704PL
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 92A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 92A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Hocheffiziente DC/DC-Wandler
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringe Gate-Ladung: QSW = 8,1 nC (typ.)
Geringe Ausgangsladung: Qoss = 20,2 nC (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)