Taiwan Semiconductor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 54 W, 4-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
171-3607
Herst. Teile-Nr.:
TSM060N03CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Breite

5.8 mm

Automobilstandard

IEC 61249

Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 30 V, 80 A, 3+Flachsteckerkontakt verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.

RoHS-konform

150 °C maximale Betriebstemperatur

54 W max. Verlustleistung

Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1 V und 2,5 V

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