Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3,3 A 38 W, 3 + Tab-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
171-3635
Herst. Teile-Nr.:
TSM70N1R4CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,3 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,7 nC @ 10 V

Länge

6.57mm

Breite

6.11mm

Höhe

2.29mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Die Taiwan Semiconductor 700V, 3. 3 A, 1. Der 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 4 Ω verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.

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