Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
171-3655
Herst. Teile-Nr.:
TSM70N600CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

600 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12,6 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Breite

6.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Taiwan Semiconductor 800 V, 7 A, 0. Der 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 6 Ω verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
Max. Verlustleistung von 83 W
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.

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