Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 1,85 A 77 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
171-3619
Herst. Teile-Nr.:
TSM2N100CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,85 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

77 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.6mm

Breite

6.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Höhe

2.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Die Taiwan Semiconductor 1000 V, 1. 85 A, 8. Der 5-Ω-, 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in AC/DC-LED-Beleuchtung, Netzteil- und Leistungsmessgeräten verwendet.

100%ig auf Stoßentladung geprüft
Advanced Planar Process
Konform mit RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und gemäß WEEE 2002/96/EG
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
77 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 3,5 V und 5,5 V.

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