ROHM QH8K26 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7 A 2,6 W, 8-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
172-0464P
Herst. Teile-Nr.:
QH8K26TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

QH8K26

Gehäusegröße

TSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,6 W

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

2,9 nC @ 5 V

Breite

2.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.8mm

Der QH8K26 ist ein MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und kleinem SMD-Gehäuse für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei

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