onsemi FCB199N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 172-4630
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB199N65S3
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.
700 V bei TJ = 150 °C
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 30 nC)
Geringere Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 277 pF)
Geringere Schaltverluste
Optimierte Kapazität
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Interner Gate-Widerstand: 7,0 Ohm
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Typ. RDS(on) = 170 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 30 nC)
Geringere Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 277 pF)
Geringere Schaltverluste
Optimierte Kapazität
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Interner Gate-Widerstand: 7,0 Ohm
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Typ. RDS(on) = 170 mΩ
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 14 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 199 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 98 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Breite | 9.65mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 172-4630
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB199N65S3
- Marke:
- onsemi
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