Vishay Siliconix TrenchFET SQJ481EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 16 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 80 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 45 W und einen Dauerstrom von 16 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V und 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft