Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 178-3723
Herst. Teile-Nr.:: SQM40016EM_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 178-3723
Herst. Teile-Nr.:: SQM40016EM_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	250 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	10.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	163 nC @ 10 V
Breite	4.83mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.5V
Höhe	11.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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