Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
178-3723
Herst. Teile-Nr.:
SQM40016EM_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.001Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

245nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

11.3mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

Verwandte Links