Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 3 W, 3-Pin SQ2364EES-T1_GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
178-3877
Herst. Teile-Nr.:
SQ2364EES-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V. Er verfügt über einen Abflussquellenwiderstand von 240 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 3 W und einen Dauerstrom von 2 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,5 V und 4,5 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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