Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 178-3895
Herst. Teile-Nr.:: SiR188DP-T1-RE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	3.6V
Verlustleistung max.	65,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	5.99mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	29 nC @ 10 V
Breite	5mm
Höhe	1.07mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

RS Best.-Nr.:: 178-3895
Herst. Teile-Nr.:: SiR188DP-T1-RE3
Marke:: Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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