Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

RS Best.-Nr.:: 178-3934
Herst. Teile-Nr.:: SiDR392DP-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: TW

Produktdetails

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8DC
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	900 μΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	+20 V, +6 V
Breite	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	125 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5.99mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V

RS Best.-Nr.:: 178-3934
Herst. Teile-Nr.:: SiDR392DP-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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