Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 10.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 178-5073
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP613PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 10.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 10.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 40mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSP613PH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet kontrollierte gate-gesteuerte Schaltvorgänge für Automobil- und Industriesysteme und bietet eine Kombination aus moderater Strombelastbarkeit und Temperaturtoleranz, um den Betrieb bei hohen Temperaturen und kompakte Leiterplattenlayouts zu unterstützen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 2,9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen eine konstante Lastübertragung
• Maximale Rds(on) von 130 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC vereinfacht die Gate-Drive-Grösse
• Maximale Verlustleistung von 10.8 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für breite Temperaturbereiche
• 2,9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen eine konstante Lastübertragung
• Maximale Rds(on) von 130 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC vereinfacht die Gate-Drive-Grösse
• Maximale Verlustleistung von 10.8 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für breite Temperaturbereiche
Anwendungsbereich
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in der Automobilelektronik
• Ideal für industrielle Hochtemperatur-Steuerschaltkreise
• Wird mit kompakten Leistungsreglern in oberflächenmontierten Designs verwendet
• Kann für Polaritäts- und Rückstromschutzanordnungen verwendet werden
• Wird für Batteriemanagementfunktionen mit niedrigem bis mittlerem Strom verwendet
• Ideal für industrielle Hochtemperatur-Steuerschaltkreise
• Wird mit kompakten Leistungsreglern in oberflächenmontierten Designs verwendet
• Kann für Polaritäts- und Rückstromschutzanordnungen verwendet werden
• Wird für Batteriemanagementfunktionen mit niedrigem bis mittlerem Strom verwendet
Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?
Es verwendet ein 4-poliges SOT-223-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das mit Standard-SMT-Reflow-Prozessen und gängigen Leiterplatten-Layouts kompatibel ist.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die maximale zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben müssen, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Systemdesign aus?
Die Durchlassspannung von ca. 1,1 V informiert über die Leistungsverlustberechnung während der Leitung und hilft dabei, die Anforderungen an das Wärmemanagement in der Anwendung zu bestimmen.
Ist dieses Gerät für Projekte in Automobilqualität geeignet?
Er erfüllt die AEC-Q101-Kriterien und eignet sich daher für viele Implementierungen von Kfz-Elektronikmodulen.
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