Infineon SIPMOS® BSP613PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223

Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS^® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

Die Infineon-BSP613P-OptiMOS-Familien umfassen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen durchgängig die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für das Design von Stromversorgungssystemen wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahl.

P-Kanal
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Logikebene

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.