Vishay SI7113DN-T1-GE3 MOSFET

Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 134MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 13,2 A. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Es verfügt über Anwendungen in der aktiven Klemme in DC/DC-Zwischennetzteilen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Halogen- und bleifrei (Pb)
• Leistungsgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und geringer Größe und niedrigem Profil von 1,07 mm
• Die maximale und minimale Treiberspannung beträgt 4,5 V und 10 V.
• Die maximale Verlustleistung beträgt 52 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -50 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft