Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 2.3 A 1.66 W, 3-Pin SI2308BDS-T1-E3 SOT-23

RS Best.-Nr.:: 180-7752
Herst. Teile-Nr.:: SI2308BDS-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 2.3 A 1.66 W, 3-Pin SI2308BDS-T1-E3 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: SI2308BDS-T1-E3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.192Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.3nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.66W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.04mm
	Breite	2.64 mm
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.192Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.3nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.66W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.04mm
	Breite 2.64 mm
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 156 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Nennleistung von 1,6 W und einen Dauerstrom von 2,3 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Batterie Schalter

• DC/DC-Wandler

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft