Vishay TrenchFET SI2399DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-7829
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2399DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI2399DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 12 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 34 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 2,5 W und einen Dauerstrom von 6 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 2,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• PA-Schalter
• Lastschalter
• PA-Schalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,067 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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