Vishay Doppelt SIA931DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -4.5 A 5 W, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

8,84 €

(ohne MwSt.)

10,52 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.360 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 1800,442 €8,84 €
200 - 4800,433 €8,66 €
500 - 9800,332 €6,64 €
1000 - 19800,265 €5,30 €
2000 +0,221 €4,42 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7884
Herst. Teile-Nr.:
SIA931DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

SIA931DJ

Gehäusegröße

PowerPack

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

2.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Länge

2.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.

Trench FET Gen III power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance

100 % Rg tested

Verwandte Links