Vishay Typ P-Kanal MOSFET 60 V / 90 A 250 W JEDEC TO-220AB SUP90P06-09L-E3
- RS Best.-Nr.:
- 180-7955
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP90P06-09L-E3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- SUP90P06-09L-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0093Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 10.51 mm | |
| Höhe | 6.48mm | |
| Länge | 14.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0093Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 10.51 mm | ||
Höhe 6.48mm | ||
Länge 14.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal-TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 7,4 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 250 W. Es ist in DC/DC-Primärschaltern einsetzbar. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET