Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SI4900DY-T1-E3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
180-8002
Herst. Teile-Nr.:
SI4900DY-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.058Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Höhe

1.35mm

Länge

4.8mm

Automobilstandard

Nein

Der Zweikanal-MOSFET der Vishay Siliconix SI4900DY-Serie TrenchFET mit N-Kanal hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Er wird in LCD-TV- und CCFL-Wechselrichtern verwendet.

Bleifrei

Halogenfrei

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