DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 46.3 A 3.7 W, 4-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

690,00 €

(ohne MwSt.)

820,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,276 €690,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
182-6936
Herst. Teile-Nr.:
DMTH10H025SK3-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.7W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.26mm

Länge

6.7mm

Breite

6.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) sowie für schnelle Schaltungen entwickelt und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – erlaubt zuverlässigere

und robustere Endanwendungen

Niedriger RDS(ON) – minimiert Leistungsverluste

Niedrige QG – minimiert Schaltverluste

Bleifreie Oberfläche

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

Hinterleuchtung.

Verwandte Links