Vishay SiRA84BDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin SO-8

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
188-4883
Herst. Teile-Nr.:
SiRA84BDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiRA84BDP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-16V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.99mm

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.