Vishay SiRA84BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
188-4883
Herst. Teile-Nr.:
SiRA84BDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiRA84BDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.7nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.99mm

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

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