Vishay SiRA84BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

465,00 €

(ohne MwSt.)

552,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 30000,155 €465,00 €
6000 +0,148 €444,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4883
Herst. Teile-Nr.:
SiRA84BDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiRA84BDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.07mm

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Verwandte Links