Vishay SiRA84BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-5078
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 25.09.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
25 - 225 | 0,37 € | 9,25 € |
250 - 600 | 0,363 € | 9,075 € |
625 - 1225 | 0,278 € | 6,95 € |
1250 - 2475 | 0,218 € | 5,45 € |
2500 + | 0,17 € | 4,25 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5078
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 70 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 7,1 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 36 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 5mm |
Länge | 5.99mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20,7 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
Höhe | 1.07mm |
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