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    Vishay SiRA84BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Voraussichtlich ab 25.09.2024 verfügbar.
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    Nicht als Expresslieferung erhältlich

    Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

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    Pro Packung*
    25 - 2250,37 €9,25 €
    250 - 6000,363 €9,075 €
    625 - 12250,278 €6,95 €
    1250 - 24750,218 €5,45 €
    2500 +0,17 €4,25 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    188-5078
    Herst. Teile-Nr.:
    SiRA84BDP-T1-GE3
    Marke:
    Vishay

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.70 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößePowerPAK SO-8
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.7,1 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.4V
    Gate-Schwellenspannung min.1.2V
    Verlustleistung max.36 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–16 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite5mm
    Länge5.99mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs20,7 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.1V
    Höhe1.07mm

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