Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 180-7965
Herst. Teile-Nr.:: SI4154DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 180-7965
Herst. Teile-Nr.:: SI4154DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	36A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	5W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	32.5nC
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 5W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.5nC
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 3,3 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 7,8 W und einen Dauerstrom von 36 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• POL

• Synchroner Gleichrichter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21