Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W, 8-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
188-4890
Herst. Teile-Nr.:
SISF02DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +16V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Länge

3.4mm

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Ablass, 25 V (S1-S2).

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle

Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.