Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W,

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RS Best.-Nr.:
188-4890
Herst. Teile-Nr.:
SISF02DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Höhe

0.75mm

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Ablass, 25 V (S1-S2).

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle

Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

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