Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

3.552,00 €

(ohne MwSt.)

4.226,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +1,776 €3.552,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4925
Herst. Teile-Nr.:
SQUN702E-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

Dreifach-Matrize

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

175°C

Durchlassspannung Vf

0.79V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-MOSFET-Paar mit 40 V N- und P-Kanal und 200 V N-Kanal MOSFET.

Optimiertes Dreifach-Matrizengehäuse

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links