Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin

RS Best.-Nr.:: 188-4925
Herst. Teile-Nr.:: SQUN702E-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin

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RS Best.-Nr.:: 188-4925
Herst. Teile-Nr.:: SQUN702E-T1_GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	Dreifach-Matrize
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	10
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	175°C
	Maximale Verlustleistung Pd	60W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	23nC
	Durchlassspannung Vf	0.79V
	Transistor-Konfiguration	Gemeinsamer Drain
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	3
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße Dreifach-Matrize
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 10
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. 175°C
	Maximale Verlustleistung Pd 60W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC
	Durchlassspannung Vf 0.79V
	Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 3
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet SQUN702E-T1_GE3

MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQUN702E-T1_GE3

Dieser MOSFET ist eine oberflächenmontierte Leistungstransistorfamilie, die für Hochspannungsschaltungen in Automobil- und industriellen Steuerungssystemen entwickelt wurde. Es kombiniert sowohl P- als auch N-Kanal-Elemente in einer Common-Drain-Drei-Matrix-Konfiguration, um komplexe Power-Management-Topologien zu unterstützen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• 200 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme • 60 W Verlustleistung für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung • Maximale Betriebstemperatur von 175 °C ermöglicht erhöhte thermische Spielräume • 20-V-Gate-Toleranz für Standard-Gate-Drive-Spannungen • 23 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung

Anwendungen

• Geeignet für Kraftfahrzeugstromverteilung und Motorantriebsschaltkreise • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Umwandlungsstufen in Fahrzeugen • Verwendet für Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Kann für Lastschaltung und Schutz in elektrischen Systemen verwendet werden • Wird mit Multi-Element-Topologien verwendet, die kombinierte P- und N-Kanäle erfordern

Welcher thermischer Umgebungsbedingungen kann er für einen längeren Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb bis zu 175 °C ausgelegt, mit einer unteren Umgebungsgrenze von -55 °C für Kaltstart-Szenarien.

Wie passt sich das Gerät an Mixed-Kanal-Schaltkreise an?

Die Konfiguration mit Dreifachmatrizen und Common Drain integriert P- und N-Kanal-Elemente in einem einzigen Gehäuse, um das Layout in komplementären Schaltanordnungen zu vereinfachen.

Welche Montageaspekte gelten für die Leiterplattenmontage?

Es wird als oberflächenmontierbare Komponente in einem 10-poligen Gehäuse geliefert, was eine automatisierte Montage und eine kompakte Platzierung der Platine ermöglicht.

Welche elektrischen Grenzwerte sollten Entwickler für Gate- und Ablassklemmen beachten?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und die maximale Drain-Source-Spannung 200 V, um eine Überbelastung des Geräts zu verhindern.