Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-5065
Herst. Teile-Nr.:
SQUN702E-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

Dreifach-Matrize

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.79V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 200 V Drain-Source-Spannung, 30 A kontinuierlicher Drain-Strom – SQUN702E-T1_GE3


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Transistorgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er verwendet eine Dreifach-Matrizen-Topologie in einer Common-Drain-Konfiguration, um erhöhte Spannungen und Ströme zu bewältigen und gleichzeitig sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-Verbesserungsmodi für eine flexible Schaltungsintegration zu unterstützen.

Merkmale und Vorteile:


• 200 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 60 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsabgabe
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht eine robuste Gate-Drive-Marge
• 23 nC typische Gate-Ladung liefert vorhersehbare Schaltenergie
• Maximaler Betrieb von +175 °C eignet sich für Hochtemperaturanwendungen

Anwendungen


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Wird für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsstufen verwendet
• Ideal für Motortreiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Kann für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungen verwendet werden
• Wird mit synchronen Gleichrichterkreisen verwendet, um die Effizienz zu steigern

Welche Pin-Konfiguration wird für das Leiterplatten-Layout verwendet?


Das Gerät verwendet ein 10-poliges Gehäuse in einer Common-Drain-Anordnung, die eine spezifische Verlegung der Quellen- und Gate-Verbindungen ermöglicht und gleichzeitig den gemeinsamen Drain über die Dreifach-Matrizenstruktur hinweg beibehält.

Wie verhält sich die intrinsische Diode während der Leitfähigkeit?


Die Body-Diode weist eine Durchlassspannung von 0,79 V auf, was die Leitungsverluste und die thermische Belastung während der Rückholvorgänge beeinflusst.

Sind beide Kanalpolaritäten auf derselben Komponente verfügbar?


Das Gerät enthält sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-Elemente, die als Enhancement-Modus-Transistoren implementiert sind, um komplementäre Schalttopologien aufzunehmen.

Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs tolerieren?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz über einen breiten Temperaturbereich unter rauen Bedingungen.

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