Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,

RS Best.-Nr.:: 188-5065
Herst. Teile-Nr.:: SQUN702E-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,

41 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

3,248 €

(ohne MwSt.)

3,865 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	3,248 €	16,24 €
25 - 45	2,76 €	13,80 €
50 - 120	2,598 €	12,99 €
125 - 245	2,438 €	12,19 €
250 +	2,274 €	11,37 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 188-5065
Herst. Teile-Nr.:: SQUN702E-T1_GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SQUN702E-T1_GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	30 A, 30 A, 20 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2)
Gehäusegröße	Dreifach-Matrize
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	10
Drain-Source-Widerstand max.	0,0135 Ω (Kanal 2), 0,048 Ω (Kanal 1), 0,06 Ω (Kanal 3)
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V
Verlustleistung max.	48 W, 48 W, 60 W.
Transistor-Konfiguration	Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max.	20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	3
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 100 V (Kanal 3), 23 nC @ 20 V (Kanal 2), 30,2 nC @ 20 V (Kanal 1)
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101

Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,

Verwandte Produkte