Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 188-4989
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-848
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 235mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 235mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 17,4 A Drain-Strom – SIHG21N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, unterstützt einen hohen Dauerstrom und wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Anwendungen geeignet ist, die eine robuste Montage und eine einfache thermische Schnittstelle erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Blockierfähigkeit ermöglicht Hochspannungs-Systemdesign • 17,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lasthandhabung • 235 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste unter Last zu reduzieren • 48 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltleistung • 179 W Verlustleistung für anspruchsvolle Leistungsstufen • Ausgelegt für 150 °C für den Betrieb bei erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Wird für Wechselrichter- und PV-Optimierer-Designs für erneuerbare Energien verwendet • Kann für Traktions- und Leistungselektronik verwendet werden • Geeignet für hart geschaltete und weich geschaltete Halbleiterstufen
Welche Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?
Das durchkontaktierte TO-247AC-Format ermöglicht die direkte Verschraubung an Kühlkörper und die effektive Verwendung von Isolierpads oder Wärmeleitpasten zur Übertragung der abgeleiteten Leistung an die externe Kühlung.
Wie wirkt sich die Gate-Source-Nennspannung auf das Gate-Drive-Design aus?
Mit einer maximalen Gate-Source-Toleranz von 30 V sollten Gate-Treiber ausgewählt werden, um innerhalb dieses Fensters zu arbeiten und genügend Antrieb zu bieten, um die spezifizierte Gate-Ladung zu erreichen, ohne die Spannungsgrenze zu überschreiten.
Welche extremen Umgebungsbedingungen kann es während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit großen Umgebungs- und Sperrschichttemperaturen.
Welcher elektrische Parameter bestimmt die Schaltenergie?
Die typische Gate-Ladung von 48 nC in Kombination mit dem Ein-Widerstand und der Nennspannung des Geräts bestimmt hauptsächlich die Energieverluste während des Ein- und Ausschaltens.