Vishay SiHW21N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 32 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

102,21 €

(ohne MwSt.)

121,62 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 21. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 303,407 €102,21 €
60 - 1203,339 €100,17 €
150 +3,168 €95,04 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4880
Herst. Teile-Nr.:
SIHW21N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

SiHW21N80AE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

235mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Höhe

21.46mm

Länge

16.26mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links