Vishay SiHW21N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 32 W, 3-Pin SIHW21N80AE-GE3 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
SIHW21N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

SiHW21N80AE

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

235mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.26mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.46mm

Breite

5.31 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

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