Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD

RS Best.-Nr.:: 188-5016
Herst. Teile-Nr.:: SIHW21N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD

Voraussichtlich ab 28.01.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

4,36 €

(ohne MwSt.)

5,19 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	4,36 €	8,72 €
20 - 48	3,925 €	7,85 €
50 - 98	3,71 €	7,42 €
100 - 198	3,49 €	6,98 €
200 +	3,275 €	6,55 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 188-5016
Herst. Teile-Nr.:: SIHW21N80AE-GE3
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Datasheet SIHW21N80AE-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17,4 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	TO-247AD
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	235 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	32 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.31mm
Länge	16.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.46mm

Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD

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