STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
188-8290
Herst. Teile-Nr.:
STD5NM60T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.2mm

Breite

2.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Der MDmesh ist eine neue revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH verbindet. Das resultierende Produkt verfügt über eine hervorragende geringe Einschaltbeständigkeit, beeindruckend hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Die Einführung der proprietären Streifentechnik des Unternehmens sorgt für insgesamt dynamische Leistungen.

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Hohe dv/dt- und Lawinenfähigkeit

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Anwendungen

Schaltanwendungen

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