STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
188-8512
Herst. Teile-Nr.:
STB43N65M5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

630mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.35 mm

Länge

10.4mm

Höhe

4.37mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedriger RDS(on)

Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Anwendungen

Schaltanwendungen

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