Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 63 A 283 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 192-3369
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0032120K
- Marke:
- Wolfspeed
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)*
27,507 €
(ohne MwSt.)
32,733 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versandfertig ab 08. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | 27,507 € | 825,21 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-3369
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0032120K
- Marke:
- Wolfspeed
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 63 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 32 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.6V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V | |
| Verlustleistung max. | 283 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V | |
| Breite | 5.21mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 118 nC @ 4/15 V | |
| Länge | 16.13mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Höhe | 23.6mm | |
Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 63 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 32 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.6V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.8V | ||
Verlustleistung max. 283 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V | ||
Breite 5.21mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 118 nC @ 4/15 V | ||
Länge 16.13mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Höhe 23.6mm | ||