STMicroelectronics Einfach N-Kanal 1, Oberfläche 600 V Erweiterung / 7 A 52 W, 8-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS Best.-Nr.:
- 192-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N60M6
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 415mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 950μm | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 415mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 950μm | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
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