onsemi NTMYS7D3N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 52 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 195-2525
Herst. Teile-Nr.:: NTMYS7D3N04CLTWG
Marke:: onsemi

onsemi NTMYS7D3N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 52 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

Voraussichtlich ab 30.10.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 30)

1,404 €

(ohne MwSt.)

1,671 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
30 - 270	1,404 €	42,12 €
300 - 720	1,343 €	40,29 €
750 - 1470	1,308 €	39,24 €
1500 +	1,276 €	38,28 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 195-2525
Herst. Teile-Nr.:: NTMYS7D3N04CLTWG
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Datasheet NTMYS7D3N04CLTWG

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlust
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	52 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	12 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	38 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7 nC @ 4,5 V
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.25mm
Höhe	1.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

onsemi NTMYS7D3N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 52 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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