STMicroelectronics Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
195-2679
Herst. Teile-Nr.:
STWA75N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

72 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

446 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-247

Durchlassspannung (Vf)

1.6 V

Höhe

21.1 mm

Länge

15.9 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

36 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Breite

5.1 mm

Ursprungsland:
CN
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) * area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

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