STMicroelectronics Einfach Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 72 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 195-2679
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 195-2679
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Diese Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind Teil der MDmeshTM DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur früheren MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on)*-Bereichs mit einem der effektivsten Schaltverhaltensweisen, die auf dem Markt für die anspruchsvollsten Hochleistungsbrückentopologien und ZVS-Phase-Shift-Wandler erhältlich sind.
Schnellwiederherstellende Gehäuse-Diode
Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zener-geschützt
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