STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 65 A 318 W, 3-Pin Hip-247

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202-5479P
Herst. Teile-Nr.:
SCT50N120
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.59Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

122nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Verlustleistung Pd

318W

Durchlassspannung Vf

3.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

34.95mm

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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