STMicroelectronics M6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
203-3433
Herst. Teile-Nr.:
STD18N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

M6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

230mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Breite

2.4 mm

Höhe

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh M6-Leistungs-MOSFET umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh-Familie von SJ MOSFETs. Die vorherige Generation von MDmesh Geräten durch die neue M6-Technologie wird von STMicroelectronics gebaut. Dies kombiniert eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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