Vishay SiHB105N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 208 W, 3-Pin SIHB105N60EF-GE3 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SIHB105N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHB105N60EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

102mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Höhe

15.88mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er)

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