Vishay Doppelt SQJ264EP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 54 A 48 W, 6-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
204-7238
Herst. Teile-Nr.:
SQJ264EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SQJ264EP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.07mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.37 mm

Länge

4.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Die zweifach-N-Kanal-MOSFETs Vishay Automotive 60 V (D-S) 175 °C sind für synchrone Abwärtsanwendungen optimiert. Es ist AEC-Q101-zertifiziert.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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