STMicroelectronics STN6N60M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

1.068,00 €

(ohne MwSt.)

1.272,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +0,267 €1.068,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
204-9958
Herst. Teile-Nr.:
STN6N60M2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

STN6N60M2

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.8mm

Höhe

1.8mm

Breite

6.48 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.

Sehr geringe Gate-Ladung

Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links