STMicroelectronics STN6N60M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
STN6N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

STN6N60M2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.48 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.8mm

Länge

6.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.

Sehr geringe Gate-Ladung

Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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