Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 210-4985
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 35.3mm | |
| Breite | 15.66mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 35.3mm | ||
Breite 15.66mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 800 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 15 A – SIHG17N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in der industriellen Leistungselektronik entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen großen Spannungsbereich und einen moderaten Gleichstrom erfordern, und bietet eine robuste Halbleiterlösung für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Belastbarkeit
• Maximale Rds(on) von 250 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• Typische Gate-Ladung von 41 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Belastbarkeit
• Maximale Rds(on) von 250 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• Typische Gate-Ladung von 41 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Wechselrichterstufen und Motorantriebsfrontenden
• Wird für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen in Netzgeräten verwendet
• Kann für isolierte Hochspannungswandler verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte, die Durchsteckmontagekomponenten erfordern
• Ideal für industrielle Wechselrichterstufen und Motorantriebsfrontenden
• Wird für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen in Netzgeräten verwendet
• Kann für isolierte Hochspannungswandler verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte, die Durchsteckmontagekomponenten erfordern
Welcher Gehäusetyp ist für Prototyping und Kühlkörper vorgesehen?
Das Gerät wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das die robuste Montage und Befestigung von Standard-Kühlkörpern für das Wärmemanagement erleichtert.
Welcher Sperrschichttemperaturbereich kann während des Betriebs erwartet werden?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu einer maximalen Temperatur von 150 °C mit einer Mindestgrenze von -55 °C für die Lagerung und den Betrieb bei niedrigen Temperaturen ausgelegt.
Wie wirkt sich die Gate-Ladungsspezifikation auf das Schaltdesign aus?
Eine typische Gate-Ladung von 41 nC bei Nenn-Gate-Antrieb ermöglicht es Entwicklern, die Gate-Antrieb-Energie zu schätzen und geeignete Treiber auszuwählen, um die Schaltgeschwindigkeit und EMI auszugleichen.
Welche Überlegungen zur Montage und zur Anzahl der Stifte gelten für das Schaltungslayout?
Das Teil verwendet ein dreipoliges Durchgangsbohrungsformat, das eine sichere Befestigung der Leiterplatte und einen einfachen Anschluss in herkömmlichen Stromversorgungslayouts ermöglicht.