Vishay SiR882BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 210-5006
Herst. Teile-Nr.:: SiR882BDP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay SiR882BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 210-5006
Herst. Teile-Nr.:: SiR882BDP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SiR882BDP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	67,5 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0069 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	1 → 2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay SiR882BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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