Vishay SiR882BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 67.5 A 83.3 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-5006
Herst. Teile-Nr.:
SiR882BDP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiR882BDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Verlustleistung Pd

83.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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