Vishay SiR180ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 137 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5001
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
1,276 €
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1,518 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,276 € | 6,38 € |
| 50 - 120 | 1,148 € | 5,74 € |
| 125 - 245 | 0,918 € | 4,59 € |
| 250 - 495 | 0,78 € | 3,90 € |
| 500 + | 0,738 € | 3,69 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 210-5001
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 137 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0018 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2 → 3.6V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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