Vishay SiDR680ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 137 A 125 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

22,61 €

(ohne MwSt.)

26,91 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 402,261 €22,61 €
50 - 901,806 €18,06 €
100 - 2401,612 €16,12 €
250 - 4901,571 €15,71 €
500 +1,53 €15,30 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7258
Herst. Teile-Nr.:
SIDR680ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiDR680ADP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.9mm

Höhe

0.51mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen RDS - Qg Leistungszahl (FOM) und ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Verwandte Links