Vishay SiDR680ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 137 A 125 W, 8-Pin SIDR680ADP-T1-RE3 SO-8

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204-7258
Herst. Teile-Nr.:
SIDR680ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiDR680ADP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.9 mm

Höhe

0.51mm

Länge

5.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen RDS - Qg Leistungszahl (FOM) und ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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