Vishay SiDR220DP SIDR220DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 204-7230
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR220DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 05.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
2,276 €
(ohne MwSt.)
2,708 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,276 € | 6.828,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 204-7230
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR220DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay N-Kanal 25 V (D-S) MOSFET hat ein optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/QGS-Verhältnis, um die Schaltverluste zu reduzieren.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC |
| Serie | SiDR220DP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,00058 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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