Vishay SiDR170DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 95 A 125 W, 8-Pin SiDR170DP-T1-RE3 SO-8

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210-4955
Herst. Teile-Nr.:
SiDR170DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiDR170DP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

93nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.9mm

Höhe

0.51mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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