Vishay SiDR392DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 204-7234
- Mfr. Part No.:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Bulk discount available
Subtotal (1 pack of 20 units)*
45,26 €
(exc. VAT)
53,86 €
(inc. VAT)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 2,263 € | 45,26 € |
| 40 - 80 | 2,196 € | 43,92 € |
| 100 - 180 | 2,105 € | 42,10 € |
| 200 - 480 | 1,992 € | 39,84 € |
| 500 + | 1,879 € | 37,58 € |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7234
- Mfr. Part No.:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiDR392DP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 188nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiDR392DP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 188nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET verfügt über eine Top Side Cooling Funktion, die zusätzlichen Platz für die Wärmeübertragung bietet. Es hat ein optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/QGS-Verhältnis zur Reduzierung der Schaltleistungsverluste.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Related links
- Vishay SiDR392DP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR626LDP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR170DP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR680ADP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR140DP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR220DP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin SO-8