Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 210-4956
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
9000 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
1,218 €
(ohne MwSt.)
1,449 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,218 € | 3.654,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 210-4956
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 204 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0012 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1 → 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin...
- Vishay SiDR626LEP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 218 A, 8-Pin...
- Vishay SIDR626EP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 227 A,...
- Vishay SiDR104ADP SiDR104ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81...
- Vishay SiDR170DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 95 A, 8-Pin...
- Vishay SIDR5802EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 153 A, 8-Pin...
- Vishay SiDR392DP SIDR392DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100...
- Vishay SIDR610EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 39,6 A, 8-Pin...